電動ガンは通常、トリガー部のスイッチで電源のＯＮ、ＯＦＦを行います。
しかし、この方式ではスイッチが離れる時に放電を起こし電極が磨耗していきます。
特に、高レートのスプリングを使っているとこの現象はひどくなり見逃せない物となります。
また、スイッチ部に接触抵抗もあり、若干ながらそこで電圧降下を起こしてしまいます。
これらを解決するために、ＦＥＴデバイスがあります。
これは従来のスイッチをＦＥＴに駆動信号を送るためのスイッチにし
モーターの電流の制御をＭＯＳ−ＦＥＴという半導体素子で行うという物です。
ＦＥＴデバイスの利点
ＦＥＴデバイスにすることによって、従来のスイッチ部にはＦＥＴ制御用の
わずかな電流しか流れなくなります。
そのため、スイッチが放電で磨耗ことがなくなります。
抵抗面では、スイッチ部の接触抵抗がなくなり、パワーロスが少なくなります。
この結果、連射速度と燃費が若干向上します。
また、ゲートに電圧がかかればＦＥＴは動作するため、オプションで
人体検出センサ等を取り付け、信号をＦＥＴに入れてやると
無人機銃を作ることができます。
このように、ＦＥＴデバイス化することにより、様々な応用が効くようになります。
ＦＥＴデバイスを作るために必要な部品は
ＦＥＴ：２ＳＫ３１４２、ＩＲ１００４等の低電圧駆動で低抵抗、大電流を流せるもの。
抵抗：１００Ωと１０〜３０ｋΩがそれぞれ1本ずつ
です。
ＦＥＴ選びで重要になる要素は、Ｖｄｓ、Ｉｄ、Ｐｄ、Ｒｄｓの4項目です。
Ｖｄｓはドレイン、ソース間の許容電圧値で、２０Ｖ以上であれば問題ありません。
Ｉｄはドレインに流せる電流の許容量です。この値は最低でも４０Ａは欲しいところです。
高レートスプリングを組んだ場合、モーターに流れる電流が大きくなるので
Ｉｄの高いＦＥＴを使う必要があります。
Ｐｄはドレインの許容電力値で、この値が大きいほど大電流を流した時の
発熱に耐えられます。６０Ｗ以上の物を使えば大丈夫です。８０Ｗ以上が理想です。
Ｒｄｓはドレイン、ソース間の抵抗値で、低ければ低いほど発熱量が小さくなります。
最低でも０．０３Ω以下の物を使いたい所です。
スイッチとゲートの間に入っている１００Ωは、モーターからの逆電流を吸収するための物です。
この抵抗が無くても動きますが、万が一のことを考えてつけていた方が安全です。
ゲート、ソース間の１０〜３０ｋΩは、ＦＥＴに溜まった電気を出すための抵抗です。ＦＥＴはコンデンサー効果があり
ＦＥＴ内部に電気を溜めてしまいます。電気を溜めた状態だと、うまく動作しない場合があるので、この抵抗に電気を流すことにより
ＦＥＴに溜まった電気を消してやります。
左の足からゲート（Ｇ）、ドレイン（Ｄ）、ソース（Ｓ）となります。
後ろの放熱板が金属の場合、そこはドレインとなります。
FETデバイスは一見、利点ばかりが有るように見えますが、
非常に危険な点も存在します。それは、半導体の故障です。
静電気、ショート等の要因でFETが破損した場合、バッテリーをつないでいる限り
フルオートが止まらなくなる、FET自体から煙を噴く等様々なトラブルの報告があります。
安全に絶対はありませんので、FETを使用する際には細心の注意が必要となります。